Memoria SDXC / 256 GB / Lectura 180 MB/s / Escritura 150 MB/s / V30 U3 Clase 10 / Resistencia -25°C a 80°C / Anti-impactos y Vibración
Memoria SDXC / 256 GB / Lectura 180 MB/s / Escritura 150 MB/s / V30 U3 Clase 10 / Resistencia -25°C a 80°C / Anti-impactos y Vibración
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Descripción detallada
La memoria SDXC HIKSEMI CAPTURE E30 de 256 GB está diseñada para aplicaciones de captura de video en alta resolución en entornos dinámicos y adversos. Ofrece velocidades de lectura secuencial de 180 MB/s y escritura de 150 MB/s, cumpliendo con los estándares V30, U3 y Clase 10 para garantizar la grabación continua de contenido 4K sin caídas de frame. Su construcción basada en memoria NAND TLC incorpora algoritmos avanzados de wear leveling que distribuyen el desgaste de manera uniforme, extendiendo la durabilidad del dispositivo. La tarjeta opera de manera confiable en un rango térmico de -25°C a 80°C y está protegida contra impactos, vibraciones, exposición a rayos X y campos magnéticos, lo que la hace apta para uso en drones, cámaras de acción y equipos de videografía en exteriores.
Características Generales
- Capacidad: 256 GB
- Velocidad de lectura secuencial: 180 MB/s
- Velocidad de escritura secuencial: 150 MB/s
- Certificaciones de velocidad: V30, U3, Clase 10
- Formato: SDXC
- Tecnología de memoria: NAND TLC
- Gestión de desgaste: Wear leveling avanzado
- Rango de temperatura operativa: -25°C a 80°C
- Resistencia: Impactos, vibración, rayos X, magnetismo
- Aplicaciones recomendadas: Drones, cámaras de acción, videografía 4K
Desempeño
- Lectura secuencial: 180 MB/s
- Escritura secuencial: 150 MB/s
- Certificación V30
- Certificación U3
- Clase 10
- Grabación 4K sin pausa
Físicas y Ambientales
- Tecnología: NAND TLC
- Wear leveling avanzado
- Temperatura operativa: -25°C a 80°C
- Resistencia a impactos
- Resistencia a vibración
- Resistencia a rayos X
- Resistencia a magnetismo
Contenido del Paquete
- Memoria SDXC HIKSEMI CAPTURE E30 256 GB
Política de envío
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